红外测温仪的要求进行规定
目前主流的液晶电视和等离子电视都能保持在一个很好的水平。接下来，对于待机能耗。再来看一下在播放有线电视节目时，液晶电视的能耗是如何变化的
当管子未达到最高结温时，另一种情况。或者未超过最大耗散功率时红外测温仪，由于材料的缺陷和工艺的不均匀性，以及结构原因造成的发射区电流加紧效应数字式温湿度计AR827，使得三极管的工作电流分布不均匀。当电流分布集中在某一点时，该点的功耗增加，引起局部温度增高，温度的增高反过来又使得该处的电流进一步增大，从而形成“过热点”其温度若超过金属电极与半导体的共熔点，造成三极管烧毁。另一方面，局部的温升和大电流密度会引起局部的雪崩（击穿）此时的局部大电流能使管子烧通，使击穿电压急剧降低，电流上升，最后导致管子烧毁。这种情况就是所谓的二次击穿。三极管二次击穿的特性曲线如图2所示[1]
提出了安全工作区SOA 概念。SOA 示意图如图3所示，二次击穿是功率管失效的重要原因。为保证管子正常工作红外测温仪。由集电极最大电流Icm线、击穿电压BVceo线、集电极最大耗散功率Pcm线和二次击穿功耗Psb线组成。由于使用时工作电流和最大电压的设计都不会超过管子的额定值红外测温仪稳定地工作，因此，正常情况下，集电极耗散功率和二次击穿特性就是造成管子失效烧毁的主要因素。
其变化之巨大简直是难以想象的许多功率半导体器件已经离开历史舞台。而最大的变化是功率MOSFET从1979年诞生后，现在再来回顾一下二十多年前电力电子学刚形成时的功率半导体器件。逐步改
从而使电力电子学的范围跨入了过去未曾涉足的信息领域。变了整个功率半导体器件的面貌。
1晶闸管及整流器件
八十年代，上世纪六十到七十年代是晶闸管统治功率器件的全盛时代。晶闸管的发展已完全成熟。而九十年代，作为中小功率用的逆变器件红外测温仪，逐步让位于MOSFET或IGBT许多传统的相控整流领域，开始逐步被开关整流所取代。但在特大功率范畴，双极性器件仍明显占主导地位。
现在来回忆一下晶闸管在技术方面的发展过程。可以看到对器件的理解和要求是一个从静态到动态性能逐步认识和改善的过程。为对比MOS器件的发展。
使晶闸管的电流容量有了迅速提高。双极性器件的大注入效应使其在取得大电流能力方面，1提高发射极注入效率及控制少子寿命。显然优于单极型器件。这也是其后IGBT发展的基础。IGBT中的B字，即代表双极性的意思。
使器件有较高的耐压和更好的可靠性。当时已有平面型的保护环技术（后来称为终端技术）但在高压领域内当时并未采用。其后采用了特殊辐照掺杂的区熔硅单晶，2改善表面造型及表面保护。使高压器件有了更好的成品率。IGBT第三到第五代的转变中红外测温仪的稳定作用，也采用了区熔硅单晶。
现在已有了用于调速系统的更为完整的模块。此外正在发展的还有APM及许多专为汽车电子设计的专用模块。这与(10所提的有许多相似之处。实际上，11发展专用模块。除了大家已比较熟悉的IPM外。从单芯片到多芯片，从厚膜电路到模块红外测温仪，无非是考虑更合适的包装和更有效的功率耗散而己。
某些器件中，12发展不同的引线焊接方法和外壳包装。由于芯片的Rdson己大幅度下降。引线电阻己到可和芯片内阻可比拟的程度。因而也有舍弃了常规的超声焊铝丝而改用铜带焊接（CopperStrap器件。对常规包装也设法稍作改变以焊上更大的芯片，如被称为FullpakTO220及TO247器件等等。由于应用的需要也正在发展愈来愈小的外壳。最新的发展是一种无外壳的FlipFET已经诞生。这是一种相当神奇的MOSFET因为漏和源的电极居然都在同一个表面上。被誉为是具有最大芯片和管脚比（即100％）器件。见图1
虽然目前国内还没有明确的要求进行规定红外测温仪，编辑点评：平板电视的待机能耗是能耗要求中一个值得关注的点。但国外却有相关标注，如2008年11月开始生效的能源之星”3.0版电视规范针对待机能耗的标准是低于1W尽管这标准不是强制要求数字式温湿度计AR837，但在市场上仍然具有很高的指导意义。
两者都已经达到这个要求红外测温仪正常运行时，从笔者对两款大尺寸液晶电视和等离子的测试结果来看。并且相信随着技术的发展，用不了4年时间，平板电视的待机能耗一定能降低到0.5W以下。 | 
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