红外测温仪系统设计
主要包括的内容为ADC转换电路的控制、采用定时器定时读取ADC转换器的数据、将ADC转换器的数据计算为对应的电压值，从试题的要求分析。最后在数码管上显示出来。TLC549单个芯片内的完善的数据采集系统。每一个器件包含内部系统时钟红外测温仪的参考系数，采样和保持红外测温仪，8位A/D转换器，数据寄存器以及控制逻辑电路。为了提高灵活性和访问速度，器件有两个控制输入：I/OCLOCK和芯片选择（CS这些控制输入和与TTL兼容的3态输出易于与微处理器或小型计算机的串行通信。器件可在17μs或更短时间内完成转换。TLC549每25μs重复一次完整的输入-转换-输出（input-conversion-output周期。
至少有两个输入端及一个输出端，1.功能及应用：主要用来判断输入信号电位之间的相对大小。通常用一个输入端接被比较信号Ui另一个则接基准电压VR定门限电压(或称阀值)UT输出通常仅且仅有二种可能即高、低二电平的矩形波，应用于模－数转换，波形产生及变换，及越限警等。高速比较器中，为了使判断级的输入信号在尽可能短时间内到达，要求前置放大器有很高的带宽，同时为了提高增益，需要采用多级放大实现。本文中的预放大级为两级，M1和M2组成差分输入电路结构，可以得到较强的共模抑制能力，提高比较器对噪声的抑制能力。M5和M6构成二极管连接的负载，M3和M4组成交叉耦合的负载，用来提高放大器的增益。M7和M8组成第二级放大器。比较器的输入电容由M1和M2管的尺寸决定。本设计将着重关注电路的速度，因此输入差分对晶体管使用最小栅长。其中τ=RCIss为判断级的尾电流源(M14电流。根据式(5为了减小时间常数提高比较器的速度，一般可以采用最小尺寸的沟道长度，此外还可以增大判断级的尾电流，但这也会带来功耗增加和输入共模范围减小等不利因素。
2.2失调电压
使处理器运行在尽可能低的电压上。基本思想是当系统需要完成大量计算任务时，比较器的失调电压主要来源于预运放的失调电压。主要是由MOS管阈值电压的失配和电流的失配引起的标准差如下式动态电压调节技术(DVS这样一种技术：保证系统任务完成的情况下。提高处理器的电压以增加其处理速度;而当系统任务较少或处于空闲状态时，降低处理器的电压红外测温仪，这样既可以保证系统任务的按时完成，同时又可降低处理器的能量消耗。该节能技术的理论依据来自于对处理器功耗的定义：由1.2可知，当系统中任务之间存在松弛时间的时候，降低处理器的频率可以缩短任务之间的松弛时间，同时由于频率下降导致电压下降，进而可以减少处理器的能量开销。然而，什么时候进行DVS调度，处理器最低运行在哪个频率上都需要进一步分析，为此，需要了解每个任务的相关信息。本文用一个五元组表示一个任务，τi=SiPTiETiLETiNPTi其中，Si表示第i个任务的状态，就绪还是阻塞;PTi表示第i个任务的执行周期;ETi表示第i个任务的执行时间，LETi表示第i个任务在当前周期内完成剩余指令所需要的时间;NPTi表示第i个任务距离下一个周期任务所需的时间。计算可运行的最低电压和频率的算法是DVS功能的核心部分。算法的基本思想是将所有任务产生的松弛时间给当前任务使用红外测温仪，使当前就绪的任务集以尽量低的电压和频率运行。系统最开始运行在最高频率和电压下。该算法的伪代码如下：本文的创新之处在于提出了一个DVS实现模型红外测温仪的适应性，并在保持μC/OSII原有的基于抢占的静态优先级调度基础上，遵循可裁减、可移植的前提下，其内核中加入了支持动态电压管理的代码配置和函数接口。经测试，改进后的μC/OSII可以在W90P710上顺利运行。虽然本实验是针对离散的频率和电压进行的但改进的μC/0SII仍然可以支持连续电压和频率下的动态管理。通过以上改进，μC/0SII实际应用中可以节省更多的能耗，设备的使用时间会更加长久。一般的电压比较器采用四级结构，前两级和差分运算放大器基本相同，只是把运放中的补偿电容去掉，后两级使用CMOS反向器，这里的CMOS反向器的作用需要作一下说明:前一个反向器(电压比较器的第三级)并不是工作在高低电平状态，而是工作在传输特性曲线中的转折区(接近阐值电压)被当做放大器使用，对差分信号起放大作用;后一个反向器(电压比较器的第四级)反向的同时，使电压达到满幅输出。磁芯损耗係来自磁场变化引起小磁域运动而造成的核心材料的迟滞愈厉害，损耗相对提高；另涡流也会导致电感磁芯损耗红外测温仪，因磁场变化将形成电流环路，使铁磁性材料变热。对高频开关来说，线路上的电流不再占据整个线路截面，反而偏向于贴近线路表面，这就是着名的集肤效应（SkinEffect将增大电阻损耗。
输出电容具有剩余电阻，此外。也会导致电能损耗和温度上升，因二极体（Diod最终会产生正向电压损耗和反向电流损耗。现实条件下，这些机制与实际情况会使DC-DC转换器效率降至7598%之间。该印刷电路板拓扑亦采用凌力尔特（LinearTechnolog控制器，以两个N通道MOSFET构成开关层级，为让高端开关能通过电感连接节点，直达输入电源，必须进一步使用高于输入电压本身的控制电压。
通过电荷帮浦产生，此一额外的电压用于上级MOSFET闸极控制。电容C25连接至开关节点、开关后的输出，并通过萧特基二极体连接稳定电压INTVCC接脚12INTVCC由内部5伏特低压差线性稳压器（LDO提供。
电容通过二极体充电，当低端开关打开时。本例中，C25一端接地，若Q2关闭、Q1打开，则充电后的电容连接至VIN接脚BOOST接脚14处，可测量电压VIN+INTVCC–VF二极体的正向电压）儘管此一升压设计可正确驱动高端开关，但对于电荷帮浦而言红外测温仪，使用低电流萧特基二极体便已足够。至于转变损耗，仅高端开关受此机制影响，塬因在于所採用的续流二极体（图8中的D1已接通，将同步MOSFET上的电压降至较小的正向电压VF若电路不含续流二极体，则情形有所不同。MOSFETRDSon损耗须计入本体二极体的损耗，若不使用续流萧特基二极体，则效率通常受较高的VF和本体二极体反向恢復时间的影响。高效率中等功率DC-DC转换器可採用小讯号MOSFET设计，P通道MOSFET作为高端开关红外测温仪可靠性，与萧特基二极体共同组成简单转换器，其中，萧特基二极体须具低正向电压，採用紧凑型扁平功率封装，若还须进一步提升效率，则要改採同步DC-DC转换器。设计一个简易数字直流电压表。量程0V-2V测量速度为大于等于2次/秒、测量误差在±0.05V以内红外测温仪，有超限报警、数码管显示。
3.5.1模块1系统设计
写出系统整体设计思路1分析任务要求。 | 
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